买卖IC网 >> 产品目录 >> BF1109,215 射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 11V 30mA 200mW datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

BF1109,215

库存数量：可订货
制造商：NXP Semiconductors
描述：射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 11V 30mA 200mW
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET小信号晶体管
描述 射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 11V 30mA 200mW
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制造商 NXP Semiconductors
配置 Dual
晶体管极性 Dual N-Channel
电阻汲极/源极 RDS（导通）
汲极/源极击穿电压 11 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流 30 mA
功率耗散 200 mW
最大工作温度
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SOT-143B
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 BF1109,215
BF1109R
BF1109R,215
BF1109WR
BF1109WR,115
BF1118,215
供应商
公司名
电话
深圳市企诺德电子有限公司 13480313979 胡
深圳市芯品会科技有限公司 0755-83265528 朱先生
深圳市九黎科技有限公司 18171547226 郑成静
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 朱科
北京京北通宇电子元件有限公司 13969210552 王女士
深圳市讯顺达科技有限公司 0755-82727234 卓小姐/蔡小姐/庄小姐
  • BF1109,215 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 0.69 0.69
    25 0.608 15.2
    100 0.52 52
    250 0.452 113
    3,000 0.244 732
    6,000 0 0
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